由Chien Liu创作的所有博客
使用基准模型提取比接触电阻率
现在可以使用半导体模块为金属触点增加接触电阻。在这篇博文中，我们将探索一个利用这一新功能的基准模型。
如何使用 COMSOL 软件模拟压电微泵
在这篇博客文章中，我们将给大家展示由 Veryst Engineering 公司的 Riccardo Vietri，James Ransley 和 Andrew Spann 提供的压电微泵模型。我们将介绍如何将压电材料与流固耦合作用结合起来，以及如何使用简单的速度相关公式来描述入口和出口边界处的单向阀的作用。
模拟均匀磁场中的硅量子点
从 COMSOL Multiphysics® 软件 5.6 版本开始，半导体模块的薛定谔方程 物理场接口新增了处理多分量波函数的功能。在使用 COMSOL 对半导体器件材料的能带结构进行仿真的博客文章中，我们讨论了如何使用此接口功能处理多分量波函数。本篇博文，我们将以均匀磁场中的硅量子点模型为例，继续探索这项新功能。 量子点简介 量子点是纳米技术中必不可少的组成部分，在太阳能电池、发光二极管（LEDs）、显示器，光电探测器和量子计算中都具有潜在应用前景。Jock 等人最近发表了一篇与自旋轨道量子位的应用领域相关的论文（参考文献1）。他们在该文的补充说明1 中，提供了描述均匀磁场中硅量子点的公式，并在补充图1中显示了数值解。今天，我们将通过仿真的方法来重现该数值解。 硅量子点的薛定谔方程 在参考文献1 的补充说明中，方程1 给出了均匀磁场 \mathbf{B} 中硅量子点的单电子哈密顿量，不包括自旋轨道耦合： (1) H=\frac{Px^2}{2 m\perp} +\frac{Py^2}{2 m\perp}+\frac{Pz^2}{2 m\parallel}+V(\mathbf{r})+\muB \mathbf{B} \cdot \sigma 其中，m\perp和 m\parallel 是分别在横向和垂直方向上的有效质量；V 是量子点的约束势能；\muB 是玻尔磁子；\mathbf{\sigma} 是 Pauli 矩阵的向量；根据该论文所述，假定旋磁比张量是值为 2 的标量；动量 \mathbf{P} 由下式给出： (2) \mathbf{P}=i \hbar \nabla + e \mathbf{A}(\mathbf{r}) 式中，e 是基本电荷，\mathbf{A} 是给定的磁矢势 \mathbf{A}(\mathbf{r})=\frac{1}{2}\mathbf{B}\times\mathbf{r}，并且虚数单元 i 前面没有减号，因为 COMSOL Multiphysics 中的所有物理场接口都采用工程符号 exp(-i k x + i \omega t) 而不是 exp(i k x – i \omega t)。 约束势能 V(\mathbf{r}) 项由论文中的等式9 给出： (3) V(\mathbf{r})=\frac{1}{2} m\perp \omegax^2 x^2 […]
使用 COMSOL 对半导体器件材料的能带结构进行仿真
使用薛定谔方程接口中的多分量波函数功能对各种半导体系统进行建模，例如具有自旋和应变纤锌矿晶体的粒子。
玻色-爱因斯坦凝聚中的涡旋晶格形成模拟
我们讨论了漩涡晶格的形成，这是一个可以使用COMSOL Multiphysics®和半导体模块模拟的迷人过程。
基于密度-梯度理论建立的三种半导体器件模型
你可以用密度梯度理论来模拟半导体器件。这里有三个例子：硅反转层、硅纳米线 MOSFET 和 InSb p 沟道 FET。
密度梯度理论简介——半导体器件仿真
密度梯度理论是一种有效的计算方法，将量子约束包含在模拟半导体器件的漂移扩散公式中。
半导体器件中的辐射效应仿真
半导体中的辐射效应是一个复杂的物理现象，广泛存在于许多技术领域并产生影响，例如电子工业、医学成像、核工程以及航空航天和军事应用。基于早期的论文研究（参考文献1），本文通过一个 COMSOL 案例教程，介绍了如何在 COMSOL® 软件中研究 p-i-n 二极管（又称 PIN 二极管）对电离辐射的电子响应。