在 AlGaAs/GaAs 量子阱中嵌入 InAs 量子点太阳能电池
Application ID: 100761
本例演示用于模拟Asahi 等人在参考文献中所述的阱内量子点太阳能电池的近似方法。量子阱和量子点层均被视为带隙中的集总能级，作者指定了点/阱能级与能带之间的跃迁，而电流密度的连续部分则不受阱和点的影响。这一描述等同于“半导体”接口的陷阱特征，因此本例使用该特征对阱和点进行建模，计算得到的光电流趋势和量子点态占有率与论文中显示的结果非常吻合。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
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