KOH 溶液中硅的各向异性湿法刻蚀
Application ID: 139781
氢氧化钾 (KOH(aq)) 溶液作为一种高效的碱金属氢氧化物溶液，在各向异性湿法刻蚀领域占据重要地位，尤其在硅晶圆微加工中，它是最常用的刻蚀液之一。各向异性刻蚀的特点在于其刻蚀速率随晶体方向的不同而变化，这主要归因于硅原子在不同晶面上的密度差异。本模型采用 COMSOL 软件的变形几何功能，结合参考资料 [1] 中的刻蚀速率插值函数方法，成功模拟了 KOH 溶液中硅的各向异性湿法刻蚀过程。模拟所采用操作条件取自参考资料 [2]：KOH 溶液浓度为 30%，工作温度为 70°C。
参考资料： [1]Hubbard, Ted J. (1994) MEMS design : the geometry of silicon micromachining. Dissertation (Ph.D.), California Institute of Technology. doi:10.7907/TK4C-M144. [2]Wagner, Andrew. (2005) KOH Si Wet Etch Review.
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
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