低压船式反应器中的化学气相沉积
Application ID: 249
化学气相沉积 (CVD) 是制造微芯片的重要步骤。其中一种常见的应用是低压下硅在晶片上的沉积，由于这个过程受到沉积动力学的限制，需要使用低压反应器获得气态物质的高扩散率，形成均匀的沉积厚度。
该仿真的目标是描述此类系统中的沉积速率如何随流体力学和动力学而变化。此模型耦合了动量和质量传递与沉积过程的反应动力学。
硅烷进入反应器，在一系列晶片上发生反应，生成氢和硅。剩余混合物从出口流出反应器。硅在晶片表面的沉积取决于硅烷的局部浓度，而该浓度由反应器的工作条件决定。使用各向异性扩散系数模拟晶片库内的传递，消除垂直于晶片方向的扩散。该域中的对流也已消除。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
- COMSOL Multiphysics® 和
- 以下模块之一： 电池模块, 化学反应工程模块, 腐蚀模块, 电化学模块, 电镀模块, 或 燃料电池和电解槽模块 和
- 以下模块之一： 电池模块, 化学反应工程模块, 腐蚀模块, 电化学模块, 电镀模块, 燃料电池和电解槽模块, 微流体模块, 多孔介质流模块, 或 地下水流模块
建模所需的 COMSOL® 产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询 COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。