MOSFET 击穿

Application ID: 15583


根据给定栅压的漏源电压,MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时,电流与电压呈线性关系,这是欧姆区;随着漏源电压的升高,引出电流开始饱和,这是饱和区;随着漏源电压进一步升高,进入击穿范围,其中的电流随着外加电压的小幅增大呈指数增长,这是由碰撞电离导致的。

此模型介绍如何使用瞬态求解器对 MOSFET 中的碰撞电离进行建模,

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:


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