通孔中的铜沉积

Application ID: 97901


本模型演示在含有卤化物抑制添加剂的电解质中对通孔 (TH) 进行电镀铜的“蝴蝶”填充机制。

本例耦合使用“三次电流分布,Nernst Planck”接口和“变形几何”来跟踪阴极表面的移动边界,其中使用溶解-沉积物质公式,说明了添加剂的吸附/解吸作用。

模型结果显示,在通孔中间实现了选择性的铜电沉积,从而达到了无空隙沉积的目的。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:


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