InGaN/AlGaN 双异质结 LED
Application ID: 20299
此模型模拟 GaN 基发光二极管器件，计算了发射强度、光谱和效率随驱动电流变化的情况，模拟了带隙的直接辐射复合，以及非辐射俄歇复合和陷阱辅助复合过程。仿真结果表明，发射强度随着电流的增加而呈次线性增加，这是 LED 器件的共同特性，称为“LED 光效下降”。请注意，该模型未包含薄有源区内的量子限制效应。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL®产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。