P-N 结 - 一维
Application ID: 14621
这个简单的基准模型采用有限元法和有限体积法计算一维 p-n 结的电势和载流子浓度。将结果与 Kramer 和 Hitchon 编著的 "Semiconductor Devices: A Simulation Approach" 一书中的等效装置进行了比较。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL®产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。