InAs 纳米线场效应晶体管中的表面陷阱诱导磁滞 - 密度梯度分析
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本教程分析 InAs 纳米线 FET 的电导-栅极-电压 (G-Vg) 曲线的滞回现象，使用密度梯度理论将量子限域效应添加到传统的漂移-扩散公式中，不会大幅增加计算成本。这种滞后现象是由连续能量分布，以及施主和受主类型的快、慢半导体氧化物界面陷阱的动态电荷效应引起的。本例将捕获概率建模为热激活模型，并具有随陷阱能级变化的势垒高度。在各种电压逐渐上升条件下计算的 G-Vg 曲线的定性行为和数量级与文献中的仿真和实验结果非常吻合。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL® 产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询 COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。