使用 PVT 方法实现 SiC 的外延生长
Application ID: 107351
硅碳化物 (SiC) 外延炉是一种专门用于生产和制备 SiC 外延片的设备。本模型演示在炉中使用物理气相传输 (PVT) 方法制备 SiC 外延片的过程，其中涉及通过感应线圈对 SiC 粉末进行加热。当粉末达到特定温度时，会开始升华。随着汽化的 SiC 上升到炉顶，温度会下降，导致 SiC 沉积在位于炉顶的晶种衬底的外延片表面。整个过程涉及复杂的多物理场现象，包括炉内的电磁热、自然对流和表面对表面辐射、质量传递以及 SiC 蒸汽的升华和沉积。
在模型中，沉积和升华速率由导入的实验数据确定，通过一个边界常微分方程（BODE）接口计算外延层的厚度。此模型还可进一步扩展，以涵盖外延片上的表面反应、SiC 蒸汽在粉末中的质量传递，以及线圈的 PID 温度控制等效应。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL®产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。