柴氏晶体生长炉的热分析

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柴可拉斯基 (Czochralski, CZ) 法是制备单晶硅的最重要方法之一。晶体的形态,尤其是直径,依赖于加热功率、提拉速率和晶体旋转速率的精确调控。

本模型演示了这种晶体生长炉的热分析。系统通过电加热器进行加热,并考虑了表面对表面辐射。坩埚和晶棒以相反的方向旋转,忽略熔体内部的流动。本例研究了保护气流和对流传热,旨在确定能够维持晶体生长界面所需温度梯度的正确参数。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:


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