柴氏晶体生长炉的热分析
Application ID: 124201
柴可拉斯基 (Czochralski, CZ) 法是制备单晶硅的最重要方法之一。晶体的形态，尤其是直径，依赖于加热功率、提拉速率和晶体旋转速率的精确调控。
本模型演示了这种晶体生长炉的热分析。系统通过电加热器进行加热，并考虑了表面对表面辐射。坩埚和晶棒以相反的方向旋转，忽略熔体内部的流动。本例研究了保护气流和对流传热，旨在确定能够维持晶体生长界面所需温度梯度的正确参数。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL®产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。