沟槽栅 IGBT 二维模型
Application ID: 101321
在这个由两部分组成的示例的前半部分，我们构建一个沟槽栅 IGBT 二维模型，然后在后半部分将其扩展成三维模型。通常，最有效的方法是从二维模型开始，以确保一切按预期工作，然后再将其扩展到三维。本例将 Caughey-Thomas 迁移率模型与 Klaassen 统一迁移率模型相结合，以解释速度饱和与声子、杂质以及载流子-载流子散射；并使用“金属接触”边界条件的“接触电阻”选项，以实现参考文献中提到的集电极和发射极寄生电阻的混合模式仿真。计算出的集电极电流密度随集电极电压的变化情况与公布的结果吻合良好。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL®产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。