沟槽栅 IGBT 三维模型

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在这个由两部分组成的示例的后半部分,我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是,现在可以像在真实设备中一样,沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极。这种更现实的排列方式可以提供与实验数据更好的定量一致性。计算出的集电极电流密度随集电极电压的变化情况与公布的结果吻合良好。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:


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