超高真空化学气相沉积
Application ID: 21711
化学气相沉积 (CVD) 是半导体工业中常用的在晶片基板顶部生长高纯度固体材料层的工艺。 使用许多不同的技术在从大气压到超高真空 (UHV/CVD) 的压力范围内实现 CVD。
UHV/CVD 在低于 10-6 Pa (10-8 Torr) 的压力下进行，因此气体传递是通过分子流实现的，并且不存在任何流体动力学效应，例如边界层。另外，由于分子碰撞频率较低，也不涉及气相化学，因此生长速率将由物质数密度和表面分子分解过程决定。
此模型采用多种物质、自由分子流来模拟硅晶片的生长，研究了多种泵送曲线的影响。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL®产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。