COMSOL Multiphysics^®6.2 发布亮点

半导体模块更新

COMSOL Multiphysics ^®6.2 版本为“半导体模块”的用户提供了在求解之前轻松预览掺杂分布的功能；显著提高了基于有限元的物理场接口的稳定性、准确性和效率；并极大地增强了光电子建模工作流程。请阅读以下内容，进一步了解这些更新功能。

用于掺杂分布可视化的预览按钮

在半导体建模中，精确的掺杂分布定义至关重要。解析掺杂模型和几何掺杂模型特征中新增了两个预览按钮，可用于在求解模型方程之前直观显示掺杂分布。这两个预览按钮分别是绘制选定项的掺杂分布和绘制所有项的净掺杂分布，可以在设置窗口和右键菜单中访问。绘制选定项的掺杂分布按钮可用于显示所选掺杂特征引入的掺杂剂浓度，而绘制所有项的净掺杂分布按钮可显示净掺杂剂浓度的绝对值。在净掺杂分布图中，p 型区域显示为红色，n 型区域显示为蓝色，这样可以轻松区分两者，并在求解方程之前确保模型定义正确。您可以使用以下模型来探索这一新功能：

• bipolar_transistor
• bipolar_transistor_3d
• mosfet
• trench_gate_igbt_3d
• gaas_pn_junction_infrared_led_diode

有限元公式的性能改进

对数、准费米能级和密度梯度公式等有限元公式的稳定性、准确性和效率都得到了显著提高，这些提升涵盖多个方面，例如，改进了弱形式方程、约束设置和默认求解器设置。因此，“案例库”中的大多数模型现在都可以通过有限元公式更高效地求解。例如，之前使用有限体积公式求解双极晶体管三维模型通常需要一整天的时间，而现在采用改进的有限元对数公式后，在标准个人计算机上求解时只需 15 分钟。

简化的光电子建模工作流程

新版本对光电子建模工作流程的用户界面进行了改进，简化了通过半导体接口或其他光学接口定义光学物理特性的过程。对于半导体电磁波耦合特征，如果提供了光学物理特性，现在会显示一条消息，并在设置窗口的方程栏中添加了详细的耦合示意图。

用于量子物理场建模的无限元域

现在可以将无限元域特征添加到包含薛定谔方程接口的模型中。您可以在新增的求解氢原子教学案例中查看这一更新的应用演示。

扩展的“碰撞电离产生”模型

碰撞电离产生特征中的Okuto–Crowell 模型已更新为一种更通用的表达式，现在可以利用两个额外的电离参数来解释对电场的不同依赖关系。

新的默认绘图包含净掺杂剂浓度

半导体接口中新增了默认的净掺杂浓度绘图组，并将自动显示净掺杂剂浓度的绝对值。

新的和更新的教学案例

COMSOL Multiphysics^®6.2 版本的“半导体模块”引入了以下新的和更新的教学案例。