COMSOL Multiphysics^® 6.3 发布亮点

COMSOL Multiphysics^® 6.3 版本为“半导体模块”的用户引入了采用对数公式求解漂移-扩散方程的新接口、用于提高多种半导体器件模型中暗电流分辨率的混合有限元公式，并且新增了用于宽带隙半导体建模的碳化硅 (SiC) 材料数据。请阅读以下内容，进一步了解这些更新。

新增“载流子传输”接口

新的载流子传输 接口可用于模拟电子、空穴、离子等载流子和分子等电中性物质及其激发态，求解这些载流子的数密度，并考虑它们的传输和反应过程。此外，还能够处理由电磁场、流场或浓度梯度引起的漂移、对流和扩散，可用于多种半导体和量子系统，例如：

• 与静电 接口耦合，用于有机半导体
• 与薛定谔方程 接口耦合，用于量子力学模型
• 与半导体 接口耦合，用于离子敏场效应晶体管 (ISFET)

您可以参考离子敏场效应晶体管 (ISFET) 仿真和电解质栅极有机场效应晶体管教学案例，了解如何使用这一新接口。

新增混合有限元法求解器公式

新的混合有限元求解器公式能够提高小量级暗电流的分辨率，对于某些半导体器件至关重要。传统的求解方法通常难以处理漂移电流与扩散电流之间的抵消效应，新公式通过为电子流和空穴流引入额外的因变量，并利用散度单元在局部强制实现电流守恒，为暗电流问题提供了更为精确和可靠的解。您可以参考新的反向偏置漏电流教学案例，了解如何使用这一公式。

新增碳化硅材料数据

半导体 材料库已更新，新增了碳化硅 (SiC) 属性数据，如碰撞电离、直接复合、Arora 迁移率模型、Caughey-Thomas 迁移率模型等。您可以在新的硅化碳二极管击穿教学案例中查看此更新。

新的教学案例

COMSOL Multiphysics^® 6.3 版本的“半导体模块”引入了多个新的教学案例。