使用 COMSOL®软件优化半导体器件性能

本次网络研讨会主要介绍半导体器件建模的基本过程和理论。半导体仿真基于半导体器件的漂移扩散理论,可用于二极管,晶体管的直流特性,小信号和瞬态分析等研究。COMSOL 的多物理场仿真功能可以非常方便地对光电子器件,离子敏感的场效应晶体,器件热效应等进行建模。 此外,预置的薛定谔方程以及薛定谔-泊松方程多物理场接口可用于分析量子阱、量子线和量子点涉及到的量子力学问题。

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双极晶体管的热分析MOS 晶体管 (MOSFET) 的直流特性MOSFET 小信号分析超晶格带隙工具异质结隧穿

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