快速热退火

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在半导体工业中,快速热退火 (RTA) 是用于激活掺杂剂和金属接触界面反应的工序。一般而言,该操作指的是将晶片从环境温度快速加热至约 1000–1500 K,晶片达到该温度后会保持几秒钟,然后完成淬火。

红外线灯泡用于加热晶片,基于晶片发出的辐射,用间接传感器确定晶片的温度。

在本例中,灯、晶片和传感器的瞬态传热和辐射通过“表面对表面辐射传热”接口来建模,结果显示瞬态温度分布和辐射通量,还确定了传感器的响应。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:


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