硅纳米线环栅元件的表面陷阱

Application ID: 19703


环栅 MOSFET 由纳米线组成,纳米线周围缠绕着栅电极。由于整个纳米线形成沟道,因此这一构型可以实现对沟道的最佳静电控制,并为 MOSFET 的小型化提供了非常好的备选方案。

此模型分析栅表面具有不同陷阱密度的硅纳米线环栅器件。陷阱的作用是屏蔽栅极电场,从而增大开启沟道的阈值电压。

此模型需要“半导体模块”。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:


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