低介电常数薄间隙比较

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低介电常数薄间隙边界条件,用于静电场模拟,近似处理与周围介质相比较而言具有较低相对介电率的薄层材料。本例比较低介电常数薄间隙边界条件和全场模型,讨论了这种边界条件的应用范围。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:


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