半导体模块更新
COMSOL Multiphysics® 5.5 版本为“半导体模块”的用户引入了一个新的密度梯度公式、一个新的陷阱辅助异质界面复合特征以及四个新模型。请阅读以下内容，了解有关这些半导体特征及其他改进功能的更多信息。
密度梯度公式
新版本引入了一个基于密度梯度理论的新离散化选项，可以在常规漂移扩散公式中包含量子束缚的影响。这为其他计算成本较高的更复杂的量子力学方法提供了一种有效的替代方法。
三个新模型演示了这一功能：
陷阱辅助异质界面复合特征
新版本添加了陷阱辅助异质界面复合 边界条件来模拟异质界面陷阱的影响。现在，您可以轻松设置离散和/或连续能级陷阱来分析载流子捕获和异质界面上的电荷效应。
其他功能改进
- 用户定义的结电流选项
- 异质结边界条件的新选项支持用户指定结处的任意电流密度
- 陷阱准费米能级公式
- 引入了新的显式陷阱公式，以使用陷阱准费米能级作为求解的因变量
- 掺杂相关材料属性
- 现在，“模型输入”列表的“输送”分支下添加了受主浓度和施主浓度，方便您构建掺杂相关的材料属性
- 固体力学 耦合
- 电位移场的时间导数变量已更新，现在支持网格变形与固体力学进行耦合
- 薛定谔-泊松方程
- 薛定谔-泊松 多物理场耦合的权重范围从 20 kT 扩展到 40 kT，以涵盖较高温度范围的情况
- 新的内置功能
- 新增费米-狄拉克函数 log_FD_half_inv_an 和 log_FD_half_an，并接受所有输入变元
- 针对以下方面的精度改进：
- Caughey-Thomas 迁移率模型公式
- 用于瞬态研究的默认求解器设置
- 准费米能级公式的默认缩放
- 针对以下方面的问题修复：
- 准费米能级公式的瞬态弱项中的一个错误（来自于 COMSOL Multiphysics® 5.4 版本更新 3）
- 肖特基接触丢少显式表面陷阱电荷的效应
- 两个相邻半导体材料模型特征之间的边界电流密度公式，已针对有限体积离散化进行了校正
- 零电荷 边界条件的选择过滤器，使其不覆盖轴对称 边界条件
新的教学案例和 App
5.5 版本新增并更新了多个教学案例。
硅反转层的密度梯度和薛定谔-泊松结果
“案例库”标题：
si_inversion_layer_density_gradient_
and_schrodinger_poisson
